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IRFI4012-117P D类音响专用大功率管

2013/7/30 11:12:34 浏览:2943

IRFI4020H-117P是专门为Class-D类音频功放,数字功放,T类功放 放大参数优化的音频专用孪生场效应功放管很低的内阻(RDSON),提高效率。

      更低QG和QSW可以减少失真,提高效率。

      更低的QRR可以减少失真和降低电磁干扰结点温度175°

      8欧负载半桥放大结构可以提供高达200W的功率

      双管封装,可以减少线路板的面积,节省空间

 

IR公司特别开发出了用于D类音频应用放大器的功率MOSFET,称作为数字音频117P. IRF665. IRF6645. IRF6775M. IRF6785M如前所述,RDS(on)和Qg是决定MOSFET功耗的关键参数。这些参数与MOSFET的芯片尺寸密切相关,并在它们之间存在着一些折中。大的MOSFET尺寸意味着更低的RDS(on)和更高的Qg,反之亦然。因此,最佳的芯片尺寸将会实现更低的MOSFET功耗。进一步,数字音频MOSFET将保证能提供一个最大的RG(int),更低的Qrr以及一个高达150°C的TJ(max),并且能够被装配在像DirectFET这类效率最高的封装内,以便为D类音频放大器应用提供高效率、稳健性以及可靠的器件。

为了简化设计师的MOSFET的选择过程,表2中列举出了一系列为应用进行了关键参数优化的数字音频MOSFET。这些MOSFET采用了最新的工艺技术来实现最佳的参数组合。同时,DirectFET封装技术将寄生电感和电容减到最小,从而降低了EMI干扰。IRFI4024H-117P. IRFI4212H-117P. IRFI4019H-117P. IRFI4020H-117P.      IRF665. IRF6645的规格

表2:列举出关键参数的一系列数字音频MOSFET。

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