IRFI4020H-117P是专门为Class-D类音频功放，数字功放，T类功放 放大参数优化的音频专用孪生场效应功放管很低的内阻（RDSON），提高效率。

      更低QG和QSW可以减少失真，提高效率。

      更低的QRR可以减少失真和降低电磁干扰结点温度175°

      8欧负载半桥放大结构可以提供高达200W的功率

      双管封装，可以减少线路板的面积，节省空间

IR公司特别开发出了用于D类音频应用放大器的功率MOSFET，称作为数字音频117P. IRF665. IRF6645. IRF6775M. IRF6785M如前所述，RDS(on)和Qg是决定MOSFET功耗的关键参数。这些参数与MOSFET的芯片尺寸密切相关，并在它们之间存在着一些折中。大的MOSFET尺寸意味着更低的RDS(on)和更高的Qg，反之亦然。因此，最佳的芯片尺寸将会实现更低的MOSFET功耗。进一步，数字音频MOSFET将保证能提供一个最大的RG(int)，更低的Qrr以及一个高达150°C的TJ(max)，并且能够被装配在像DirectFET这类效率最高的封装内，以便为D类音频放大器应用提供高效率、稳健性以及可靠的器件。

为了简化设计师的MOSFET的选择过程，表2中列举出了一系列为应用进行了关键参数优化的数字音频MOSFET。这些MOSFET采用了最新的工艺技术来实现最佳的参数组合。同时，DirectFET封装技术将寄生电感和电容减到最小，从而降低了EMI干扰。IRFI4024H-117P. IRFI4212H-117P. IRFI4019H-117P. IRFI4020H-117P.      IRF665. IRF6645的规格